据央视《朝闻天下》报道，总投资240亿美元的国家存储器基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工。, y y: G5 J! X. Z6 @9 E2 w9 \7 W
- ^) [% v0 ^, ~+ [$ e 据悉，2020年全面建成后，年产值将超过100亿美元，实现我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。
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国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。
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5 ]. Y8 S4 v/ [+ w2 N6 v3 q7 {" ` 项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
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存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，同时也是我国进口金额最大的集成电路产品
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